Abstract
HG１－xCdxTe三元化合物半導體為紅外線偵檢器的重要材料。由於化合物半導體材料組成成份（Stoichiometry） 的變化，可能造成對材料物理特性的重大影響，因此為配合此項材料之研究發展，本研究嘗試建立其組成成份的分析枝術，期能提供該材料製造技術及物性研究的有力支援。本研究選用電分析化學上的庫倫電量（Coulometry）法，分別就三個元素的分析條件作探討，並綜合所得結果建立一套該材料的系統分析程序。實驗結果顯示，分析方法的精密度及準確度可達０﹒２％以下，相當具有實際應用於樣品分析之可行性。有機金屬化合物（Trimethyl Aluminum，Trimethyl Gallium，Diethyl Zinc） ，是－V 族Epitaxial 半導體成長法中，有機金屬氣相沈積法（MOCVD） 的原料，鑒於成長的半導體品質和原料純度有著密切的關聯。因此，為配合原料的品質管制及Epita-xial layer製造技術的發展，本研究嘗試從超微量分析觀點，建立高純度有機金屬化合物中微量離質元素的分析方法。本研究建立一套有機金屬樣品水解系統，將樣品經由水解，分離、濃縮之程序，再配合感應耦合電漿原子發射光譜法（ICPAES）及中子活化分析（NAA） 測定其中雜質元素含量。實驗結果顯示，所建立的系統及分析方法已頗能適用於有機金屬化合物的微量雜質分析。