Abstract
摘要 在此一研究中，我們發展了以射頻磁控濺鍍系統成長用於HgCdTe紅外線光二極體的CdTe披覆層；並對CdTe氧化物薄膜的濺鍍作一初步的研究。我們探討不同的濺鍍條件對薄膜物理性質與電性的影響。由X光繞射的結果顯示CdTe薄膜為立方體與六方體的多晶型態，但主要以立方體為主，並且具有強烈的立方體[111]之優選方向。整體來看，以室溫濺鍍，濺鍍功率100W，工作壓力4mTorr的條件能得到性質最好的CdTe薄膜；並且鍍於HgCdTe上的CdTe薄膜漏電流機制為普爾-夫倫克爾放射，薄膜中的雜質為造成漏電流的主因。 而在CdTe氧化物薄膜的研製上，則以在清大材料所實驗室中的濺鍍系統所鍍製的雙層(Cd,Te)Ox/CdTe薄膜，CdTe層為非晶質結構，(Cd,Te)Ox層為濺鍍氣氛Ar/O2=80/20且具CdTeO3的相，所得的薄膜性質最好。此種雙層結構薄膜的低漏電流主要由薄膜界面的空間電荷所形成的能障所造成，所以較單層CdTe薄膜具有更好的漏電性質，擁有作為HgCdTe披覆膜更大的優勢。