Abstract
本論文嘗試在４５７℃以液相磊晶成長，在CdTe基板上成長HgO.８cdo.２Te的磊晶層。經由擯制三區溫控成長爐兩端的蛸償汞壓溫度及商當的磊晶降溫程予，可以成功地得到成均勻的HgO,８Cdo,２Te的磊晶層。每個相同成長程予所得到的最大成份變化小於０．００５，平均變化在±０．００２之間。並改變補償汞壓溫度流程的過冷度，觀察對成份、電性及表面型態的變化。我們發現提高補償汞壓溫度或增大成長過程中的過冷度ΔT，均得到較低成份X值的磊晶成份。並且較低成份X值的as-grown 的磊晶層有較高的電子移動率及較低的電子濃度。而較小過冷度及緩慢的降溫成長方式能得到較佳的表面型態。