Abstract
近幾年來，半導體產業在台灣發展神速，科學園區各家廠商陸續增加產能並進行晶圓廠的擴建，再加上封裝及測試業的蓬勃發展使台灣成為全世界重要的半導體生產國之一。而半導體可以說是一種高價值的產品，所以產品的良率一直是業界所關心的，因此在半導體製程中所遇到的問題，業界也一直在尋求解決的途徑。這個研究的目的是應用統計方法-非線性迴歸分析的技術來解決半導體製程裡所遇到的一個問題。文中對半導體的製程做一個概述，並對製程中的曝光部份做較深入的探討，並敘述業界所遇到的問題。在與業界接觸的過程中，我們發現在半導體的製程中"曝光"可以說是非常關鍵的一個步驟。因為在每一次執行曝光前都必須做好對準的工作，否則不當的圖形轉移將導致整個晶片的報廢。因此如何做好位置參數的校正乃是極重要的工作。目前半導體產業界在位置參數的校正工作上，其準確度仍有很大的改善空間，在這方面統計方法可以發揮很大的作用。本文將利用幾何圖形逐步說明如何建立曝光誤差的非線性模式，並在模式建立後利用數值分析中的Gauss-Newton方法估計曝光參數。最後，我們在文中將以科學園區德□半導體對一批晶圓曝光所得的實際數據來對本文所提的位置參數估計值和業界所計算的位置參數值做比較。