Abstract
本論文由實驗和理論兩方面研究３－４族半導體及貴重金屬表面二次諧波產生的機制。我們由非線性波動方程式導出晶體表面二次諧波反射係數的公式；利用流體動力理論描述金屬表面二次諧波電流源和入射光電場的關係，導出ER、ATR、及Sarid結構下金屬表面二次諧波反射係數的表達式，並由數值計算比較金、銀、銅和鋁金屬表面在各種幾何結構下，反射方向二次諧波信號的強弱。我們利用實驗室自製的Ｑ值轉換釔鋁柘榴石雷射、快速偵測器和快速記憶式示波器組成了一套能夠偵測到二次諧波反射係數為１０□□□cm□╱watt的準光子計數系統。我們利用此偵測系統測出了ＧａＡｓ和Ｇａ□.□Ａｌ□.□Ａｓ的二階非線性電場極化率的正確數值；我們也由實驗決定出金和銅金屬之二次諧波電流的大小，而且晶體和金屬之二次諧波反射係數隨入射角的變化和理論預測相吻合。