Abstract
砷磷化鎵銦〔In（１－x ）Ga（x ）As（y ）P （１－y ）可經調變其組成（x ，y），在磷化銦（InP ）基板上成長晶格匹配的磊晶層，且能調整能隙以涵蓋光纖通訊上所用最低傳輸損耗的波長：１．５５um，在光纖通訊上有極大的用途．液相磊晶成長法的成長系統，具有設備簡單，安全，較快的長晶速率及多種攙雜的優點，是最受廣泛用來成長砷磷化鎵銦的長晶方法．此篇論文係以液相磊晶法在磷化銦（InP ）（１００）基板上成長晶格匹配之長波長砷磷化鎵銦磊晶層，並分析其磊晶層的特性．以液相磊晶成長法的過冷降溫（super-cooling ）成長技巧，於６３２℃以降溫速率０．１℃╱min 成長〔In（０．５７）Ga（０．４３）As（０．９２）P （０．０８）〕的成長溶液組成已被找出．磊晶層的特性分析包括：以X 射線繞射分析其晶格差配，結果顯示晶格差配小於０．０３％，以傅立葉轉換紅外光譜儀（FTIR）測得磊晶層的工作波長為１．５８±０．０１um，以電子束分析儀（EPMA）測其固相組成，以掃瞄式電子顯微鏡（SEM ）和（α﹣S-TEP ）測磊晶層厚度，以光學顯微鏡觀察表面形態，並且利用霍爾效應測量載子濃度及載子遷移率．最後長出一個簡單的P ﹣N 接面，以HP４１４５測其I ﹣V 特性．