Abstract
成份接近三元化合物In SbTe 的In-Sb-Te三元合金薄膜，已藉助modified flash co-deposition法成功地蒸鍍完成。有關此法的蒸鍍特性，諸如薄膜的成份、表面平整性及其厚度亦在論文中加以討論。經由X-光繞射分析(XRD) 與穿透式電子繞射(TEM) 分析得知剛鍍好的薄膜式是一種非晶質與結晶相共同存在的結構。一種三元化合物In SbTe ，根據以往的報告顯示其在420 ℃之下是不穩定的，然而實驗中卻發現利用真空退火過程此化合物可在225 ℃形成。此生成特性，退火的影響以及在低溫225 ℃的穩定性都加以詳細討論，并提出一合理的解釋。由於受到退火所造成薄膜的光學性質改變，包括反射率及穿透率的變化情形亦給與檢視，結果顯示在剛鍍好的薄膜與225 ℃退火后的情形有一明顯的差異。為了要了解薄膜在不同退火情形下造成微結構改變對其電阻率的影響，因此薄膜電阻率的量測是有其必要的。結果顯示電阻值在剛鍍好狀態與225 ℃退火過的情形有一很大的差距, 一旦在225 ℃退火之后電阻率可下降約一萬倍。最后，從X-光繞射資料, 我們繪制此三元化合物In SbTe 在225 ℃與185 ℃的恆溫相轉變曲盄。