Abstract
綜合熱力學平衡觀念，動力擴散機構能隙，晶格匹配等原理而建立一套以液相磊晶技術在InSb基座上成功成長三元ＩｎＡｓ0.07Ｓｂ0.93磊晶層的模擬方法，進而，模擬出可避免InAsSb╱InSb系統中溶液反蝕（Melt Back） 現象的磊晶成長步驟：並預估ＩｎＡｓ0.07Ｓｂ0.93之成長條件。ＩｎＡｓ0.07Ｓｂ0.93磊晶層可藉著四組溶液在InSb晶片上長出組成v＝０•０２７連續變化到v＝０•３５的磊晶層。每組溶液的溫度隨磊晶的成長而逐漸昇高。實驗結果顯示ＩｎＡｓ0.07Ｓｂ0.93磊晶層厚度與組成與模擬結果相當一致。