Abstract
為了能夠較精確的控制液相磊晶成長時的成分與長晶速率，一個以熱力平衡及質量守恆為基礎的錠銦砷硫四元相圖已建立。依據此相圖的模擬，在一定的長晶溫度下，應該可以得到各種不同長晶速率，且又與磷化銦晶片晶格匹配，而能隙值都相同的長晶溶液組成。本實驗依據此項預測，已成功地在６００ ６４０℃的範圍內，以步階降溫法，成長出能隙值為１•５５μm ，晶格匹配且各種厚度的磊昌層。
- Title
- InGaAsP光電材料的液相磊晶製程探討
- Translated title
- InGaAsP光電材料的液相磊晶製程探討
- Creators
- 張世英 (Author)
- Contributors
- 薛康琳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English