Abstract
電阻式記憶體是下一世代非揮發性記憶體的重要研究領域，它具有快速的處理速度以及良好的記憶穩定性，其簡單的結構也是具有競爭力的一有利因素。然而電阻式記憶體仍具有一些問題需要被解決，例如在實際應用結構上產生的漏電路線問題，以及傳導機制的進一步確認與探討。本研究著重於解決漏電路線問題，嘗試開發出一具有非線性電阻的記憶體。 本研究探討了氮氧化鈦材料在電阻式記憶體領域上的應用，透過不同的厚度與成分的調整，以及不同電極材料的搭配，得到具有非線性電阻的電阻式記憶體元件，具有十分大的應用潛力。 使用穿透式電子顯微鏡與元素化學成分分析儀，對氮氧化鈦薄膜特性進行研究以進一步得知造成非線性電阻的原因，並透過電性分析推得此電阻式記憶體的傳導機制。