Abstract
本實驗是利用射頻磁控濺鍍法，在不同晶向之鎳酸鑭底電極的輔助下，成長出具有不同結晶方向的鍶鉍鉭氧化物鐵電薄膜，並探討製程參數對其結晶行為及電性之影響。 實驗中使用一般陶瓷製程來製作Sr4Bi4Ta2O9靶材，然後用磁控濺鍍法分別在LNO（100）和（110）底電極上沈積SBT薄膜，再經由黃光製程來製做出上電極。在薄膜性質分析方面，利用Rigaku X-ray繞射分析儀分析薄膜之晶體結構；α-step來量測薄膜厚度；HP 4145B量測薄膜漏電流性質；HP 4192A量測薄膜介電常數；RT66A量測薄膜鐵電性質；Hitachi S-4200 SEM觀察薄膜表面結構。 實驗結果顯示，在LNO（100）及（110）方向的輔助下，會生長出具有不同結晶方向的SBT薄膜。但是，SBT並不會因LNO底電極的引導而生長出相對應的結晶方向。因為不同的LNO底電極會影響到SBT薄膜的結晶性，進而影響到薄膜漏電流性質。 鍍製在LNO（100）底電極上的SBT薄膜，其漏電流性質較鍍製在LNO（110）底電極上的SBT薄膜為佳。 鍍製在LNO（100）及（110）方向上的SBT薄膜，其介電常數相差不大。但是，SBT/LNO（110）之介電常數較能不隨頻率增加而下降。 鍍製在兩種不同晶向LNO底電極上之SBT薄膜都具有相似的鐵電性質，其2Pr=1μC/cm2、EC=50KV/cm。