Abstract
本研究乃以鈦酸鋇缺陷化學之觀點，探討La—Mg同時添加時之室溫電導性，晶粒大小及兩者之間的關係。只添加La時，室溫電導率隨著La含量之增加，出現極大值（〔La□□〕＝?０．１５mol ％），晶粒則在時急遽減小。此結果與文獻相同。室溫電導率與晶粒大小之密切關係歸因於不同La含量之不同缺陷補償機構，即在低含量區域（〔La□□〕≦０．１５ mol％）電子補償佔優勢；高La含量域，陽離子空缺補償（Vti）佔優勢。對La—Mg同時添加之鈦酸鋇，在〔La□□〕＞０．１５ mol％時，隨著Mg之添加，電導性亦出現極大值；晶粒也在此極大值時開始急遽增加。此顯示，與只有La之添加者相似，即電導性與晶粒大小有密切關係。La與Mg對室溫電導性有互相補償之效應。一個受體（Mg）約須兩個施體（La）來補償。對La—Mg同時添加之鈦酸鋇，在電子補償區域，“有效”之施體添加量〔La□□〕—２〔Mg□□〕亦為?０．１５ mol ％。 由電子顯微鏡觀察粗晶之微造，其晶界有液相存在，而在細晶裡則無。此現象之轉變，與缺陷補償之機構變化相一致。本研究發現，根據缺陷補償機之不同，決定液相生成與否。在陽離子空缺補償之成分（即細晶者），無液相存在之原因，可能係空缺（ＶTi ）可使位罝及電荷保持平衡，而不致於有第二相溶出。相反地，電子補償或淨（Net ）受體添加成分（〔La□□〕—〔Mg□□〕≦０），則不能維持位罝之平衡，而使第二相溶出。進一步實驗亦支持，此液相之多寡，隨Mg之添加量增加而增加而增之論點。