Abstract
本論文係探討快速熱退火對於以離子束合成法於不同矽晶圓晶面生成鉭矽化物層之影響；同時，並藉由四點探針的電性分析、X光繞射儀的晶體結構分析、拉賽福背向散射儀的成份比例分析、溝道拉賽福背向散射儀的晶體缺陷分析、穿透式電子顯微鏡的微結構分析、以及二次離子質譜儀的縱深分佈分析，深入研究退火溫度、退火時間、矽基材晶面、以及退火方式對於所生成的鉭矽化物層的微結構、導電特性、以及金屬矽化物成分比例進行詳細的研究。實驗結果顯示：當退火條件為850 ℃、30秒時，可生成一平整的二矽化鉭層，其所形成的磊晶層厚度分別為未經退火的鉭矽化物層為36 nm及經快速熱退火850℃、30秒之後所生成的鉭矽化物層為42 nm。其中在不同矽晶面的分析上，以佈植於〈111〉矽晶圓所生成的二矽化鉭層有較佈植於〈100〉矽晶圓者為佳的結晶性與導電特性。鉭矽化物層的電阻值變化主要歸因於二矽化鉭結晶性的程度與離子佈植所造成的輻射損傷的回復。在未經退火與快速熱退火（850℃、30秒）之後，其輻射損傷層分別為52 nm與30.75 nm。而二階段退火對形成此鉭矽化物亦有明顯的影響，在經850℃、30秒後的快速熱退火後，再以1000℃、10秒的退火，可使其鉭矽化物層有著更佳的結晶性與較低的表面片電阻，其輻射損傷層更可減小至22 nm。