Abstract
在本論文裡，一個開關階層的障礙模擬器已經設計完成了，它的名稱是ＳＷＵＳＵＭＦ。對於ＭＯＳ積體電路之障礙模擬，ＳＷＩＳＩＭＦ可以用下列的障擬模型來模式化物理上的缺陷：stuck-at障礙，電晶體的stuck-on和stuck-open障礙，和short-line障礙。為了模擬shore-line障礙，我們用一個啞節點（dummy nocle ）來處理。同時，本模擬器也能處理電荷衰減的現象和衰減時間的改變。為了減少模擬上的複雜度，一些特殊的方法用來消減障礙之個數，我們稱為區塊內（intrapartition）和區塊間（interpartition）的障礙消減。並且在模擬之過程中，我們只模擬從障礙源至觀察點間的有效路徑。本模擬器是建立在一個NEC pc-9801F的工作站上，整個程式是在ＭＳ－ＤＯＳ的作業系統裡，用Ｃ語言撰寫的。