Abstract
在本論文中， 我們首先討論了不均勻摻雜濃度基底的MOSFET元件其臨界電壓隨溫度變化的情形。 在低溫下必須考慮載子的凍結效應。 論文中提出了一個依據臨界電壓的定義， 從實驗中的數據求取臨界電壓的新方法。 用這種萃取方法所得的臨界電壓， 與理論值相當吻合。在LDD區域處的電阻會隨著偏壓的改變而改變的。 而且它對偏壓的依靠性在低溫環境下更為顯著。因此， 從量測所得的數據， 便不適用於傳統上用來萃取元件參數Delta L及RDSc的方法。 因此我們將一個真實的MOSFET元件分成隨偏壓變化的電阻RLDD(VD)， 不隨偏壓變化的電阻RDSc以及本質MOSFET三部分。 並提出一個新的gD斜率的方法， 由真實的MOSFET元件中， 分離出隨電壓變化的電阻RLDD(VD)及內含的常態MOSFET元件。 由這個常態MOSFET元件， 便可用傳統上萃取元件參數Delta L及RDSc的方法,來求得Delta L及RDSc。 應用於不同的溫度下， Delta L及RDSc隨溫度的變化以及RLDD(VD) 隨溫度的變化， 便可得到。元件在飽和偏壓下， 若LDD處的電場過大，載子受到飽和速度的影響，會使得RS隨汲極電流(或者是閘極偏壓)增加而增加的效應。我們以簡單的汲極電流的一次方的形式來模擬RS隨汲極電流變化的情形。以這個隨ID變化的RS值， 來萃取Lsatandvsat值。