Abstract
本實驗是以研究Mo/GaAs1-xPx接面（x等於0、0.4和1）的電性和微細結構為主。我們利用電流–電壓測量法，電容–電壓測量法、拉塞福背向散射能譜、歐傑電子能譜、深層缺陷、分析儀，我和穿透式電子顯微鏡等分析儀器來瞭解Mo/GaAs1-xPx接面（ x等於0、0.4和1），在剛鍍過後和經過十分鐘，溫度從300℃到700℃ 的褪火處理過程、能障高度和理想值的變化情況，互相擴散的現象，深層缺陷的產生，以及介金屬化合物的產生的現象。由這些實驗結果進而瞭解導致電性變差的原因。在500℃褪火經過十分鐘褪火處理後，Mo/GaAs可得最佳理想值，其值是1.20、能障高度是0.96電子伏特，經過700℃十分鐘褪火處理後驟降至0.84 電子伏特。歐傑能譜顯示Mo和GaAs間的互相擴散並不明顯，深層缺陷分析的結果顯示有兩個電子能陷和一個電洞能陷分別是Ec-0.50 電子伏特，Ec-0.86電子伏特，Ev+0.96電子伏特，電子顯微鏡觀察出在500℃經過十分鐘的褪火處理後會有GaMo3化合物產生而700 ℃褪火十分鐘後又多產生了MoAs2化合物的結構。Mo/GaAs06 P04 接面在500 ℃以上經過十分鐘的褪火處理只有GaMo3 化合物出現剛蒸鍍完畢的Mo/GaP接面的理想值是1.66，能障高度是1.67電子伏特，這兩種值都隨著溫度升高而增加，但彼此相互擴散現並不很明顯。