Abstract
本論文中大約11.6nm閘極氧化層以N2O氣體在低壓環境下以快速熱氧化的方法長成溫度控制在1050C變化氧化的時間作為實驗控制的變因。在加定電流的stress之前，較長氧化時間的N2O電容具有較佳的電性表現。由HRTEM， N2O氧化層的界面要比純O2氧化層好。同時SIMS量測中顯示N2O氧化層中有氮堆積。在I-V、C-V量測中，可看到典型MOS電容的特性.在可靠度測試方面加入定電流 STRESS，而後作I-V、 C-V、ΔVg、ＱBD 及 ＥBD的量測。首先低壓成長的電容與1ATM下成長的電容並無不同。其次，N2O氧化層比純O2氧化層顯示更佳的可靠度。(較少的電荷陷阱、較大的崩潰電荷及較佳的介面性質)另一方面,N2O氧化層的氧化時間愈長者特性亦較佳.當電流從閘極灌入，所量得崩潰電荷值相當差.主要原因仍需研究。但由ΔVg中發現一些電洞陷阱,這可能是由於氮過份堆積在POLY/OXIDE 介面而造成。同時，POLY /OXIDE原本較差的介面也可能是另一個原因.