Abstract
本研究係利用穿透式電子顯微鏡平視及橫截面試片，四點探針電阻量測，陽極氧化霍爾量測及展阻量測來探討二矽化鎳╱矽系統經過砷及磷離子佈植後之缺陷分佈及離子的再分佈現象。結果包括：一、經離子佈植後無法產生非晶質，顯示二矽化鎳對輻射損傷具有很高的抵抗能力。二、對於砷及磷離子佈植，輻射損傷造成的差排密度隨退火溫度升高而降低，８００℃退火後，所有缺陷均消除。三、經砷離子佈植，在６００及７００℃退火後，厚度為８５０埃中的差排密度遠比厚度１８００埃中的密度為高，在二矽化鎳與矽基底界面的壓縮應力是導致此差異的主因。四、磷離子佈植所引發的差排在６００℃退火後，密度較砷離子佈植引發的為低且差排也較小，較低的原子質量與較高的擴散係數被認為是導致差排結構差異的主因。五、在不同的退火溫度下，阻值並無明顯變化，阻值與微結構沒有明顯的關係。六、在再結晶的二矽化鎳薄膜中，並無相變化及微雙晶的生成。七、經砷離子佈植９００℃退火３小時後仍無雜質再分佈的現象，經磷離子佈值，相同的退火條件下，僅有非常少量雜質進入矽基底。