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OH基為架橋之雙核銅和鈷錯合物合成及性質探討
Thesis

OH基為架橋之雙核銅和鈷錯合物合成及性質探討

黃耀興
Masters, National Tsing Hua University
1987

Abstract

OH基雙核銅鈷錯合物合成雙核配位基
利用2,6-diformyl-4-methylophenol 合成一系列雙核配位基:2,6-bis〔(2-aminophenyl)iminomethyl〕4-methylphenol( ),2,6-bis〔(2-aminophenyl)aminomehtyl〕4-mehtylphenlo( ),2,6-bis〔(2-hydroxyphenyl)iminomethyl〕4-methylphenol( )2,6-bis〔(2-aminophenyl)aminomehtyl〕4-methylphenol( ),由光譜測定法研究配位基和 的質子結合常數( ), =9.90, , 和依次為9.23,9.52和10.20且利用電位測定法研究配位基 和與二價銅或鈷離子形成鉗合物的穩定性常數( ): =10.06,=7.52, =16.80和 =10.70及鉗合物質子結合常數: =6.48和 =7.45。配位基H ,H , 和 與Cu(Ⅱ)或Co(Ⅱ)離子在鹼性下形成以OH基為架橋雙核銅或鈷錯合物,架橋位置的OH基容易被OC 或呲唑基取代。 單晶結構指出Cu(Ⅱ)離子周圍的結構是近似於正四方平面形,Cu-Cu且距離為2.971 ,雙核銅錯合物都具有逆鐵磁性行為,而雙核鈷錯合物具有high-spin行為,雙核銅或鈷錯合物在氧化還原反應過程中,都具有不可逆的電化學行為,且由錯合物的光譜(IR,UV和EPR )使能進一步了解雙核銅或鈷錯合物的性質。利用OH基為架橋雙核鈷錯合物來做pp 的氧化反應,藉著NMR 的光譜來探討反應的情形,發現在氧氣,60℃下能將pp 氧化為O=pp ,其中錯合物為 (OH) 時,其氧化反應速率最快。

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