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P 通道二硒化鎢MOS 場效應電晶體之研製
Thesis

P 通道二硒化鎢MOS 場效應電晶體之研製

蔡子揚
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2016

Abstract

二維材料 二硒化鎢 石墨烯 化學氣相沉積 接觸電阻 2D material Graphene Tungsten Diselenide CVD contact resistance
因申請專利緣故,資料延後公開

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