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Thesis
P 通道二硒化鎢MOS 場效應電晶體之研製
蔡子揚
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2016
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Abstract
二維材料
二硒化鎢
石墨烯
化學氣相沉積
接觸電阻
2D material
Graphene
Tungsten Diselenide
CVD
contact resistance
因申請專利緣故,資料延後公開
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Title
P 通道二硒化鎢MOS 場效應電晶體之研製
Translated title
P 通道二硒化鎢MOS 場效應電晶體之研製
Creators
蔡子揚
Contributors
連振炘 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
Date published
2016
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