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PLZT電光陶瓷之研製
Thesis

PLZT電光陶瓷之研製

蔡志光
Masters, National Tsing Hua University
1986

Abstract

化學共沈方法PLZT電光陶瓷X 光繞射分析繞結活性單向冷壓緻密化 Chemical-CoprecipitationPerovskite
利用化學共沉(Chemical Coprecipitation)方法配製8.╱65.╱35.╱PLZT,可以獲得粒度介於數百A之微細粉未。在500℃?燒18小時經X一光繞射分析,己幾乎完全形成Perovskite結構,此時的燒結活性最好。單向冷壓成形後在通氧氣,改善氣氛粉未中1200℃高溫燒結,可以獲得近乎真實密度值(〉99.8%)之透光PLZT燒結體。實驗中針對三種配製組成:含過量氧化鉛、近於計量比及含氧化鉛量不足,探討化鉛含量多寡在燒結時所扮演的緻密化機構為何,以及它對燒結體各項性質所造成的影響。

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