Abstract
半導體積體電路製程中微影程序（Miorolithography Process）的作用乃是將光罩上的線路圖型傳送至晶圓的薄膜層上。其中光阻劑為決定微影成敗最重要的因素。本實驗合成Poly（Phenyl methacrylate－co－methacrylic acid）（Poly（PhMA－co-MAA）） 作為光阻劑，探討其性質及應用的可行性。Poly（PhMA－co－MAA） 在高於１７０℃以上的溫度時會迅速地引發交聯反應，再經DeepUV光照射會發生裂解反應及Photo－Fries反應，因而使曝光區域與未曝光區域在顯彰時產生溶解度差，故可應用為正型光阻劑（Positive Resist）。 經由實驗得知MAA 含量３０至３６％間，有較合宜的微影性質，其對比度約在１•８左右。由於Poly（PhMA－co－MAA） 會因熱引發交聯反應，故其耐熱性提高，在一些高溫情況下，如電漿蝕刻、金屬蒸鍍，將表現更優異的性質。而苯環基的存生，具有保護主鏈的功能，故其抗乾蝕刻效果較PMMA為佳。同時光阻膜與基材良好的接著效果，使得光阻圖型在濕式顯影或蝕刻時，不致因圖型基底顯影或蝕刻過度而造成崩塌現象。