Abstract
由於電子工業的蓬勃發展，利用積體電路平面製程可以製作陣列形式的紅外線偵測器，而此種紅外線偵測器以過渡金屬矽化物與矽基材，形成蕭基介面為主。銥矽化合物可以形成偵測波長範圍在8到12微米的紅外線偵測器，而且隨著元件體積日漸縮小，研究超薄銥矽化合物膜便顯得十分重要。本篇論文利用同步輻射光源進行高解析光電子能譜研究，研究超薄銥矽化合物膜在不同溫度成長下的相變化以及成長機制。 隨著成長溫度的不同，銥矽化合物會有不同的相形成。室溫下，單一原子層的厚度即有三種非晶質銥矽化合物以島狀生長的模式形成，且隨著厚度的增加，富銥相逐漸成為化合物中較主要的相。在300 °C下生長，依然有三種銥矽化合物形成，其生長方式也並非層狀；和室溫下生長不同的是，富矽相的量隨著厚度增加漸漸增多，在十個原子層厚度時和富銥相的量相近。 在600 °C下生長的銥矽化合物則以富矽結晶相為主，而其成長模式則是層狀式生長。將在室溫以及300 °C下形成的銥矽化合物╱矽介面退火到600 °C，其效應隨著厚度不同而有改變。將三個原子層厚度的介面退火後發現，室溫的富矽相會轉變成在300 °C下生長的富矽相，而300 °C下生長的富矽相則為穩定相。十個原子層厚的介面退火後則是一致成為和600 °C下成長的十個原子層厚介面相同，這也表示了在低厚度時，成長溫度不同即使退火後也不會形成一樣的介面；而較高厚度的介面則在退火後會形成穩定且相同的介面。