Abstract
當阻劑乃是應用於電子工業各種加式程序中, 最後仍需被剝離的材料, 它在半導體元件微細加工過程, 所扮演的解色乃是將已設計好的圖案轉移到晶片上。本實驗合成Poly (methacrylonitrile-co-itaconic acid)╱Poly (MAN-co-ITA), 探討其組成、結構、性質和其作為DeeP-UV 正光阻劑的可行性。在本實驗中, 我們發現MAN 及ITA 單體, 以二甲基乙醯胺為溶劑, 溫度50℃, 行自由基共聚合反應, 其反應性比為 ＝1.237, ＝0.0375, 利用Markov 統計理論分析發現, 所得共聚特為無規則共聚物, 而單體分子在聚合物中的分佈隨單體的比例不同而不同。Poly (MAN-co-ITA) 在100 ℃以上, 共聚物中的ITA 單體單位會行分子內脫水反應,形成五圓環的酸酐結構, 在120 ℃?130 ℃之間, -COOH 和-C≡N 引發結環反應, 生成六圓環結構, 五圓環酸酐在150 ℃以上隨時間的增長而逐漸分解, 六圓環結構隨溫度和時間之增加而增加。共聚合物經130 ℃以上烘烤共UV吸收光譜在200?220nm會顯著增加, 經Deep-UV 照射, 200?220cm吸收降低, 釋放出CO, 發生分子斷鏈反應, 分子量降低, 可作為 DeeP-UV正光阻劑。我們利用自行裝置的雷射干射儀, 探討烘烤溫度及曝光前後共聚物解速率的關係。對同一組成的共聚物, 溶解速隨軟烤溫度增加而降低, 比較曝光前後的差異, 溶解速率隨曝光時間烘烤溫度之增加而增加。由於Poly (MAN-co-ITA) 會因熱引發生結環反應, 經軟烤后分子鏈變得較剛硬, 耐熱性提高, 在一些高溫的情況下, 如電漿蝕刻等, 將表現更佳之性能。