Abstract
在半導體積電路製程中微影程序（Microlithography Process）之作為為將光罩上的線路圖型傳送至晶圓上。本實驗合成Poly（methacrylonitrile-methacrylic acid）╱Poly（MAN-co-MAA）作為光阻劑，探討其性質對微影程序之影響。Poly（MAN-co-MAA）在120 ℃以上時會引發結環反應，再經depp-UV 光照射時會產生斷鏈反應，因此可以之作為正光阻。由於Poly（MAN-co-MAA）為thermal sensitive，故其軟烤加熱之條件對敏感度，對比度，及顯影速率皆有重大之影響；經由實驗得知未添加benzoic acid之光劑（PR），其最佳之軟烤條件為150℃×20min（或更少），而添加benzoic acid之光阻劑（BAPR）之最佳軟烤條件為140℃×20?30min。RAPR應具有較高之敏感度，而PR之對比度會較高。由於Poly（MAN-co-MAA）會因熱引發結環反應，故其經硬烤後，分子鏈變得更為剛硬，耐熱性提高，在一些高溫之情況下，如電漿蝕刻，將表現一更佳之性能。在積體電路的製程中，線路寬幅之控制極為重要，我們試依Poly（MAN-co-MAA）之特性，模擬其曝光與顯影後之光阻邊緣形狀，以求達到控制線路寬路寬幅之目的。