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Poly(MAN-co-MAA)光阻劑結構鑑定及性質研究
Thesis

Poly(MAN-co-MAA)光阻劑結構鑑定及性質研究

蕭錫懋
Masters, National Tsing Hua University
1987

Abstract

光阻劑結構共聚合物正光阻 POLYMETHACRYLONITRILEMETHACUYLIC-ACID
Methacrylonitrile(MAN)與Methacrylic acid(MAA) 的共聚合物在120℃以上會引發結環結構,此結構在240?260nm的波長照射下,會產生斷鏈反應,因此可為正光阻(Positive resist) 本實驗主要即探討此deepUV正光阻的共聚合物組成,結構結環及斷鏈結構,耐熱性,不同溶劑下的顯影速率及抗活性離子蝕刻(RIC)能力。在本實驗中,我們以不同MAN 及MAA 單體比例從(1:1到6:1)合成其共聚合物,其聚合條件為在65℃下進行總體聚合。利用 CNMR作結構鑑定發現所得共聚合物為無規則共聚合物,而其單體分子在共聚合物中的分佈依單體比例不同而不同。由於Poly(MAN-co-MAA)為thermal sensitive ,故其加熱條件對敏感度,對比度及顯影速率皆有重大影響。本實驗發現隨著共聚合物中MAA 比例,軟烤溫度及時間的增加其結環程度隨之增加。本實驗利用自行裝置的雷射干涉儀探討共聚合物組成和丙酮,”乙醇及乙醇╱水溶劑之間溶解關係。得知當組成中MAA含量增加時在乙醇中溶解速率增加,但在丙酮中卻減小。比較曝光前後溶解速率差異,得知COP1COP2之較佳顯影液為乙醇╱水(95╱5),COP3COP4之較佳顯影液為丙酮。以CF□╱O□(95╱10) 活性離子蝕刻進行測試發現MAN 含量增加時其抗活性離子蝕刻能力隨之增加。

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