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Polypyrrolo[3,4-b]pyrazine之導電性高分子合成
Thesis

Polypyrrolo[3,4-b]pyrazine之導電性高分子合成

林俊德
Masters, National Tsing Hua University
1990

Abstract

導電性高分子丙二酸二乙酯脫法導電玻璃聚合速度隨膜氧化電流峰 POLYPYRROLO[3,4-B]PYRAZINE
本實驗室由丙二酸二乙酯脫去反應成功的合成pyrrolo[3,4-b]pyrazine及pyrrolo[3,4-b]quinoxaline 的衍生物。利用電化學來聚合pyrrolo[3,4-b]pyrazine及pyrrolo[3,4-b]quinoxaline ,但由於pyrrolo[3,4-b]quinoxaline 在室溫下不安定,所已不做其電化學聚合。N-methylpyrrolo[3,4-b]pyrazine及N-Benzylpyrrolo[3,4-b]pyrazine(Poly-Bppy) 可在Et NBF 電解質及乙 溶劑中,被聚合在白板上或1TO 導電玻璃上。這種高分子薄膜經cyclic voltammetry的掃描後顯示出這高分子薄膜沒有氧化和還原的電流,如此表示了Poly-Mppy 及Poly-Bppy 都不是好的導電性高分子。由電化學實驗結果可知1.利用丙二酸二乙酯脫去反應可得到pyrrolo[3,4-b]pyrazine的單體。2.Pyrrolo[3,4-b]pyrazine單體可合成高分子。3.此高分子導電度低,且不易形成厚膜,以致不能測導電度值。4.單體於電極表面聚合,聚合速度隨膜的成長而變慢。5.聚合時的取代基可能的立體效應Phenyl.>Benzyl.>Methyl. 。6.此高分子膜難看到氧化或還原的電位,及其氧化或還原電流峰。7.由電變色研究知,高分子膜在可見光區變化較小,在近紅外光區的變化較大。8.由SEM 知高分子膜之形態為顆粒狀,在合成時容易產生聚集現象。9.經ferrocene 的實驗,單體在聚合過成中不會變壞,且證明了Pyrrolo[3,4-b]Pyrazine高分子在還原態下是好的導電性高分子。10. Mppy單體的氧化電流峰為0.7V,Bppy的氧化電流峰為0.83V 。導電性高分子的應用很廣,比如塑膠性蓄電池,顯示器,能的輸送,磁計錄器,光資訊儲存……等,均有賴於日後的研究。

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