Abstract
在本論文中主要是探討利用雙槍射頻磁控濺鍍法來沈積Pt-Al2O3 奈米薄膜,在不同的成分比,及利用不同條件之後續熱處理下,分析其薄膜特性以及探討其電性與光學性質。 由XRD及TEM結果顯示利用雙槍射頻磁控濺鍍法沈積之Pt-Al2O3之奈米薄膜是由Pt的金屬微粒和非晶質的Al2O3所組成，而在不同鍍膜條件(Pt : Al2O3 = 10W : 150W及12W : 150W)及不同條件之熱處理下(annealed 700℃ 及1000℃ 30分鐘)，可以形成20 A到270 A左右的Pt奈米金屬微粒。而從ESCA成份分析得到當Pt : Al2O3 = 12W : 150W時Al : Pt: O之原子比為1 : 1.529 : 1.699而Pt : Al2O3 = 10W : 150W時Al : Pt: O之原子比為1 : 0.807 : 1.68，從ESCA能譜圖發現奈米薄膜中的Pt 應是純Pt 金屬微粒。從電性量測發現此Pt-Al2O3 奈米薄膜的電阻跟溫度有相當密切的關係，其電阻隨溫度下降而增加，Pt : Al2O3 = 10W : 150W的片電阻比Pt : Al2O3 =12W : 150W大了兩個數量級左右。從低溫電阻量測在185K附近有一反曲點，電阻值在反曲點以下斜率變小，推測其機制可能是electron tunneling 及quantum size effect之影響，而185K以上則是nearest neighbor hopping的影響，而從其光譜儀量測可以發現其在800nm到200nm之間有明顯的吸收。