Abstract
現今的多層材料中，當兩種不同晶體的晶格常數相當接近時，其介面將會因為兩種晶體的連結造成此處的晶格常數有所變化，而晶格常數的變化，在許多材料應用中，常會發生問題，例如在太陽能電池的光轉率不好等等，因此若能有效掌握此變化量，將可對此問題提供重要資訊。在本碩士論文中，主要探討應變場(strain field)在SiGe/Si的介面對於晶格的變化。在實驗部分，我們利用電荷耦合元件(Charge Coupled Device)去拍攝各種不同角度的繞射圖形，在數據分析部分，我假設在每組ϕ-scan中強度最強的地方為參考原點，利用此點及繞射幾何去計算其晶格常數的變化，並將計算出的晶格常數，分別對θ、ϕ、X光穿透深度作圖。由這些圖形進一步分析應變場的分佈情況，最後得到三個重要的結論，其一，長晶的方向將影響應變場的大小，其二，晶體的特性將影響應變場的分布情形，其三，接近介面的地方，由於應變場較大，因此，晶格常數成震盪變化。