Abstract
本實驗為 (Sr,Ca) TiO□陶瓷變阻器之研究，製程上採用傳統的固態反應法，以SrCO□, CaCO□, TiO□ 及其他添加劑，煆燒合成(Sr,Ca) TiO□ 粉末，壓片後於還原氣氛下燒結成半導化之陶瓷體，之後再利用Na□O, K□O 及其他氧化物做後續的擴散處理，讓離子沿晶界擴散而形成絕緣能障以獲得變阻特性。實驗分五個部分，分別為 SiO□添加量，A/B 位置比，Ca含量，擴散溫度，時間及擴散劑種類對性質的影響，前二者著重於微觀結構的探討，而後三者則著重於電性的分析。實驗結果發現，Ti過量的成分（A/B=0.995 及0.99），藉由 SiO□量的添加(0.3wt﹪) ，可獲得變阻器所需的大晶粒，但由於晶粒的過度成長卻伴隨著密度的略為下降。電性上Ti過量有助於離子的擴散，崩潰電壓較大，電阻率高，所獲得的α值也較高。實驗中不同的Ca含量，擴散溫度，時間及擴散劑對電性的影響相當大，在最佳的擴散溫度及時間下，較大的Ca含量(12mol﹪?20mol﹪)可增加α值。而擴散劑的選擇，對單成分擴散而言，以Na□O所得之α值最高，對多成分擴散，則以Na□O-Li□O及K□O-Na□O所得之α值最高。實驗中最高之α值為以Na□O-Li□O 混合擴散所得，指數為14，崩潰電壓51/mm, tanδ則為 1.2﹪。