Abstract
本論文主要研究單根單晶結構的氧化銦奈米線之熱傳導係數。藉由電子束微影的技術和反應式離子蝕刻機台的幫助，單根氧化銦奈米線成功地懸掛在二氧化矽的基板上；而熱傳導係數的量測則是藉由（3ω method）所量測。 此單根奈米線的電阻率為5.38 × 10-3 Ω-cm，和之前文獻上的報導相比是最好的，推測是由於合成過程中產生的氧缺陷所致。熱傳導係數的結果顯示，其值會隨著溫度的上升而下降；計算結果指出聲子是此單根奈米線熱傳導的主要載子。對此單根奈米線做了後續退火的實驗發現，其熱傳導係數比原始的結果還要高，這是因為退火後造成電阻上升及缺陷減少所致。