Abstract
本實驗是以傳統固態反應法制備以[Sb ]為施體添加的鈦酸鉛鋇PTCR陶瓷體，而以過量氧化鉛的添加來幫助燒結。整個實驗過程以0.4 at% [Sb ]含量下，過量添加0.25 wt%, 0.50 wt%氧化鉛，改變不同的冷卻速率及回火條件來探討這些變因對鈦酸鉛鋇PTCR性質及劣化速率的影響。經結果發現鉛過量0.25 wt%的微觀結構不均勻，晶粒大小差祑極大，鉛過量0.5 wt%的試片，微觀結構較均勻，晶粒大小約在2?5 um 之間，而微觀結構不均勻的試片其劣化速率比較大。在冷卻速率影響方面冷卻速率愈大其最低及最高電阻率愈大，而且劣化速率也比較大。經過900 ℃回火1 小時, 鉛過量0.25 wt%的試片其最低及最高電阻率升高, 而0.50 wt%的試片其最低及最高電阻率卻都下降，但不論鉛過量0.25或0.50 wt%，劣化速率均降低，而電極的不同并不會對劣化速率造成影響。此外由阻抗分析得知，劣化的現象祗對晶界有關與晶粒內的無關。