Abstract
本論文的目的有二, 其一是以穿膜離子布植, 得到淺導電通道, 其二是了解穿膜離子布植的載子分布。前者的實驗條件TaSix 的厚度為300 埃或600A, 布植能量為60KEV,100KEV, 布植量為6E12cm,4E13cm,2E14cm,布植后, 施以900℃,5 秒, 10秒,15秒的快速退火求得高遷移率的淺通道。后者由C–V及Differential Hall 配合, 以求得到完整的載子濃度分布。再與理論比較, 找出NRS 最適合。在穿膜離子布植及退火后, 薄膜的性質由X-ray diffraction,Hall Mobility,RBS,Ph-otoreflectence 及Auger 等相配合, 以期找到最好的制程條件。我們的薄膜組成以Ta Si 等相配合, 以期找到最好的制程條件。我們的薄膜組成以Ta Si 較多, 當薄膜厚度300A, 以100KEV能量做離子布植, 發現有Ta擴散到GaAs晶圓內, 以60kev 布植,現象未發生。再由Photoreflectence及霍爾測量實驗知RTA 條件為900℃,15秒時, 晶體再生長最好。此件將會用於以后的SAG GaAS MESFET 的技術上。在Schottky Diode電性測量, 我們因所制作diode 本身,TaSix薄膜不易define好的形狀, 有較大的漏電流。且V 較小。不過我們也證明Breakdown 由Tunneling 作用占優勢。以100kev布植的薄膜, 我們diode 的理想因子可達1.2。 若用較佳的薄膜制程條件(60kev),相信可達較好的結果。