Abstract
TbFe薄膜因具有垂直磁異向性、高頑磁力、適當的居里溫度等特性，適合做為磁光記憶材料，其存寫或擦拭是利用磁化及頑磁力在居里溫度時為零來擦拭、存寫的；資料的讀取則是利用克爾效應。TbFe薄膜的製作係以反向測鍍法製膜，其厚度則以α－step測量，結構則以X －ray繞射儀分析，以振動試樣磁力計測量薄膜的磁性；以改裝的橢圓儀測量克爾旋轉角度；成份則用感應耦合電漿一一原子發射光譜儀及歐傑電子譜儀分析。本論文實驗發現在４０W 到１１０W 間測鍍功率提高有助於頑磁力、殘磁對飽磁比值的提高；此外組成亦影響其磁特性。本論文最後則是提出可能改善研究的方法。