Abstract
在本論文中，主要探討type-II銻化鎵/砷化鎵奈米結構之特性分析及其發光元件應用。首先，我們會探討銻和背景砷的比例對於type-II銻化鎵/砷化鎵奈米結構的影響。我們觀察到在高通量銻原子的熱退火過程中，隨著銻和背景砷流量的比例逐漸下降，銻化鎵量子點會逐漸地轉變成量子點/量子環混合、光致發光的強度會增強以及發光位置會有紅位移的現象。隨著更進一步地減少銻原子流量及銻和背景砷流量的比例，我們發現銻化鎵量子點會完全地轉變成量子環。相較於量子點而言，量子環的樣品具有較強的光致發光強度。之後，我們將探討在砷化鎵的p-i-n結構中埋入單層銻化鎵量子環的發光二極體，操作在不同注入電流及不同量測溫度下的發光情形。隨著注入電流的增加，我們觀察到電致發光的位置會有藍位移的現象，證明此發光是來自於type-II銻化鎵/砷化鎵量子環的結構。在變溫電致發光的量測中，我們觀察到隨著量測溫度的增加，電致發光的發光位置會先有藍位移之後再紅位移的現象。