Abstract
在量子井系統中,利用激子吸收來調制光,在光調制器的應用上,有著可觀 的潛力. 在這種系統裡,加與不加電場,吸收係數有很明顯的變化;我們也 正是利用這特性來完成光的調制. 在傳統的量子井光調制器裡,加電場能 使最低階激子躍遷的躍遷能量變小(紅移). 這種系統,在關敝狀態時有大 的吸收係數. 在開狀態時,吸收係數雖然變小,但依然有不少的吸收.這將 影響光調制器在開和關狀態時的對比度,進而降低調制器的性能. 如果,加 電場能使最低階激子躍遷的躍遷能量變大(藍移), 就可改善此現像在這一 篇論文裡, 我們提出一個名為反對稱耦合量子井的新量子井系統.在我們 的裡論模擬裡,加某一方向的電場,它有很強的紅移.但加反方向的電場它 卻有很大的藍移. 對光調制器系統而言,它將是很不錯的選擇. 我們研究 了由 InP/InAsP/InP/InGaAs/InP 構成的反對稱耦合量子井的行為和特 性. 就光調制器的應用而言,這一個系統有以下的優點:(1)加電場有很大 的藍移. (2)加電場對激子躍遷能量有異常大的調整能力.(3)加電場對 envelop function overlap的平方有很大的調整能力. (4)在吸收頻譜普 上,激子吸收峰間的距離比較遠.對量子井結構而言,Qv是一個非常基本而 重要的特性參數. 在這一篇文裡,我們尚提出一個新方法來決定Qv. 並藉 由我們的理論模擬來證明它是一個簡單又精確的方法.