Abstract
在這篇論文中將會探討，銅銦硒薄膜利用爐管兩段式加熱，會因第一段的溫度使得硒粉末蒸發速率不同，當溫度恰好過其沸點蒸發速率小於其與銅銦金屬起化學反應的速率，會使得薄膜內硒的組成比增加，第二段固定在攝氏500度，調變退火時間，使得銅銦硒薄膜能夠完成再結晶，並使用Br2/ MeOH蝕刻金屬相，以提高硒的組成比，在背電極鉬以及前驅物之間蒸鍍上硒，以提高薄膜內硒的組成比，使其略微超過50%。並嘗試製作背電極Mo、緩衝層CdS、窗層i-ZnO以及透明導電電極AZO，以製作銅銦硒太陽能電池。
- Title
- The influence of selenization conditions on CuInSe2 thin film
- Translated title
- The influence of selenization conditions on CuInSe2 thin film
- Creators
- 蕭伊淵
- Contributors
- Wu, Meng-Chyi (Advisor)Chu, Chih-Wei (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
- Language
- English
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2012