Abstract
在本篇論文中，我們使用金屬輔助的化學蝕刻方法在單晶矽與多晶矽的基板上製作出修正型的柵欄狀結構太陽能電池。而這些蝕刻的結構與形狀都使用掃描式電子顯微鏡來做分析。在單晶矽基板部分，我們增加了一個額外去除表面結構損傷的製程步驟，使用HNO3/HF/H2O=50:1:20混合的蝕刻液來作處理，另外在第一個流程製作出的元件裡，我們認為填充因子(Fill Factor)數值偏低是因為不完美的金屬與半導體接面所造成，因此我們增加了FGA 高溫退火的時間來改進這個問題。而太陽電池的光電轉換效率在增加與改進了這兩個步驟之後有了1.8-3%的提升，其中最高的轉換效率可以達到10.079%。在多晶矽基板的部分，我們也設計了兩個製作流程，差別在於後者在所有的製程步驟之前對基板增加了一個切割損傷的製程，而這個製程對於最後元件的轉換效率大約增加了1.7%，而最高的多晶矽太陽電池光電轉換效率為5.686%