Abstract
在此論文中，我們說明了採用高截止效率的抑制C頻帶放大自發幅射濾波器的高飽和功率S頻帶摻鉺光纖放大器，而濾波器置放於C頻帶矽基摻鉺光纖之中。首先，我們製作了寬頻帶(1250~1650 nm)的熔拉低通濾波器，其中透過適當的選用色散材料和熔拉光纖結構，就能夠達到高截止效率與高溫度調整效率(50 nm/□C)。最終在採用順向激發架構下，200mW的980nm激發功率可得到6dB的增益，並改善了1490-nm S頻帶摻鉺光纖放大器的飽和輸入功率和飽和輸出功率，分別可達到8.8 dBm和12.2 dBm，這些結果已經比過去一些高增益S頻帶摻鉺光纖放大器的例子還要佳。只要能使用更長的摻鉺光纖並在其中置放更多的C頻帶放大自發幅射濾波器，將可得到更高的增益和更高的飽和輸出功率。