Abstract
本實驗利用自行組裝的中空陰極磁控直流濺鍍（hollow cathode DC magnetron sputter）系統在(100)矽基板上鍍上含有鈦、矽、氮三種成分但具有不同比例的薄膜，觀察其薄膜性質，並且比較其退火處理後的性質變化。 鈦矽之間要產生C-54相的TiSi2，一般而言都需要在700℃以上的退火處理，但是對於同時含有鈦矽的薄膜來說，可以在低於門檻溫度的650℃的退火處理後找到C-54相的存在，這證明了鈦矽的混成鍍膜確實有利於TiSi2高溫相的提早產生。 而同時具有鈦、矽、氮三元的薄膜，會隨著氮含量的不同而在性質上有相當的不同。當氮含量高時，退火時TiN會扮演擴散阻障層的角色，防止鈦矽反應。當氮含量低時，氮反而會因剷雪效應，被鈦矽反應物推擠到表面產生TiN。