Abstract
本研究係利用穿透式，電子顯微鏡平視，橫截式試片觀察砷佈植磊晶二矽化鈦之缺陷分佈經退火後之消除情形，並利用四點探針，展阻測量，陽極氧化，霍爾效應，等方式作二矽化鈦和下層單晶矽基座之電性測量。主要研究成果如下：（１）電子槍蒸鍍之a－Si╱Ti╱c－Si試片在真空爐中作４００－８００℃退火，得均勻C５４二矽化鈦薄膜，薄膜內之顆粒狀 Ti５Si３係因界面之雜質所致，這些雜質應該是氧，二矽化鈦晶粒中有疊差缺陷，常以片狀分佈在晶粒內，其慣平面為（００４），並會形成晶粒旋轉邊界。（２）即使劑量高達５E１５╱cm^２亦無法將佈植層非均質化。（３）８０KeV砷佈植，薄膜形成雙層構造，並觀察到C－４９相之存在，經過７００℃退火，可恢復成單層二矽化鈦薄膜。（４）１６０KV砷佈植，僅產生缺陷，無相變化發生，經過８００℃退火，缺陷密度僅略微降低。（５）缺陷經確定為差排，其Burgers向量為＜１１１＞方向。（６）砷佈植後，二矽化鈦之電阻係數升高達１００uohm－cm，經過８００℃壹小時退火，可使電阻恢復正常即１５uohm－cm。君蓋壹層氧化矽影響不顯著。（６）以二矽化鈦作下層單晶矽之砷雜質擴散源被這證實是不可行的砷原子僅在二矽化鈦薄膜中快速移動，在８００℃下擴散係數相差達三個數量級，即使在１０００℃之高溫下，退火半小時仍無法使砷大量驅進入下層之單晶矽中。