Abstract
在本論文中,先用PECVD在p-type 單晶矽基板上長一層SiOx mask,再利用Nd-YVO4之綠光雷射在單晶矽基板上打洞,最後經過濕式等向性蝕刻而形成蜂巢狀結構. 我們總共設計三次實驗,在第一次實驗中,我們發現經過雷射打洞後所作出的元件串聯電阻很大,經過SEM的分析後,發現上電極的表面結構經過雷射與濕式蝕刻後並不平滑而產生金屬不連續進而導致Fill factor (F.F)只有0.232;第二次實驗當中我們設計另外一種雷射打洞的圖形,解決了金屬不連續的問題,將Fill factor (F.F)提高到0.749,不過Voc值最高只有0.538(Volt),經過EQE分析後在波長300~800nm之間,電子電洞復合速度很快,推測這是因為雷射所造成晶格錯排產生SRH復合效應,第三次實驗我們增加了SiOx的厚度以及濕式蝕刻的深度來減少雷射打洞所造成晶格的錯排,經過SEM分析後,表面結構比之前平滑許多,EQE分析也顯示出復合速度減緩,最後元件參數:Jsc提升到34.51(mA/cm2),Voc提升到0.572(Volt),效率也來到14.9(%).