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V 型槽PIN 光電偵測器
Thesis

V 型槽PIN 光電偵測器

章力文
Masters, National Tsing Hua University
1986

Abstract

V 型槽PIN 光電偵測器空乏區寬度吸收效率漏電流
傳統型式的光電偵測器有PN接合面與PIN 型式兩種。前者有空乏區寬度不易控制,串聯電阻大等缺點;後者雖解決上述缺失,但仍有所需偏壓大、電容值大等缺點。此處提出V 型槽PIN 型式之光電偵測器,主要優點有可自由選擇工作電壓、電容小、以及可以並聯組合成大吸收面積,但必須犧牲一部分之吸收效率。經實驗結果已可看出上述之特性,且有明顯之光電機能,但此元件為平面式之傳導,故元件之表面處理尤為重要,表面漏電流之預防為此元件最需重視之處。

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