Abstract
本篇論文主要的報告是,在Cd LⅢ (3.542 kev)及Cd LⅡ edge (3.731 kev)附近研究並量測薄膜CdTe/Insb的三光共振相位,量測方式是利用同步輻射能量的可調性,實驗時能量範圍為3.5keV~3.79keV,選定晶體的正反面,在特定之(002)原子面做三光複繞射,當X光的能量跨過晶體的吸收邊時如:Cd LⅢ edge,三光的繞射之強度圖形會有明顯的左右不對稱的變化,其原因為原子能階的躍遷(原子異常色散)時,使得正反面結構因子在吸收邊緣的三光相位有較大的變化, 大至上將近 50o~60