Abstract
以直流式磁控濺鍍系統制備Y-Ba-Cu-O 薄膜, 我們成功的利用自行設計的內圓柱型磁控濺鍍, 以計量比的鈀, 制備高度方向性成長的YBa Cu O 及YBa Cu O 薄膜。YBa Cu O 薄膜在MgO(001)基板上, 由x 光繞射圖中可得知, 斜方晶(Orthorhombic)的YBa Cu O 薄膜, 乃以C 軸[001] 方向垂直於MgO(001)平面成長, 其C 軸的晶格常數為11.683A。YBa Cu O 斜方晶相是一個非常新的結晶相, 最開始是在YBa Cu O 的缺陷結構中發現的, 它較YBa Cu O 斜方晶相多了一層氧化銅(CuO) 鏈。它的C 軸晶格常數約為27A 。其氧含量較YBa Cu O 更穩定。我們成功的在MgO(001)基板上成長的YBa Cu O 方向性的薄膜。由x 光繞射圖中可得知, 斜方晶的YBa Cu O 薄膜, 乃以C 軸[001] 方向垂直於MgO(001)平面成長, 其C軸的晶格常數為27.20A。由掃瞄式電子顯微鏡中觀察得知,Y-Ba-Cu-O薄膜與MgO 基板的接合性非常良好。我們自行設計的內圖柱型磁控濺鍍 有很高的薄膜成長速率( 成長速率=2.1um/ 小時=350A/分鐘)。