Abstract
摘 要 微電子實驗室或工廠而言，皆嚴格要求與監測元件品質的優劣，以減少和 避免來自製程材料污染與製程控制的不準確度和不穩定性的問題。因此尖 端的分析儀器和分析技術，是微電子在研發過程中發現和解決問題不可或 缺的工具。高靈敏度的二次離質譜儀可以多方面協助半導體製程改善的問 題，解決複雜材料的相關問題，為最佳之表面與界面分析的工具。本論文 即利用二次離子質譜儀優異之分析能力，對光電半導體材料（即化合物半 導體）之多重薄膜結構進行分析研究。全文共分為三章： 一、緒論：分別就研究之材料『雷射二極體』、磊晶之技術『分子束磊晶 法』、分析之工具『二次離子質譜儀』加以介紹。 二、ZnSe藍光雷射二極體之二次離子質譜儀分析研究：利用分子束磊晶技 術成長多種不同樣品，包含單層、多層ZnSe為主之II-VI族藍光結構，使 用二次離子質譜儀，探討各層結構之化學組成、摻雜雜質之濃度（SIMS分 析Cl、N之偵測極限約為5×1015 cm-3、9×1015 cm-3）、界面問題，及 雷射二極體最重要之發光活性層量子阱結構（可解析十層各約70 ( 的量 子阱結構），以得知各磊晶層的特性，來幫助藍光雷射二極體製程開發。 三、Be摻雜之P型AlGaInP紅光雷射二極體之二次離子質譜儀分析研究：同 樣利用分子束磊晶技術成長Be摻雜之P型AlGaInP紅光雷射結構。使用二次 離子質譜儀，探討當使用不同角度的基板或相同基板、不同回火條件時， 對磊晶層中Be之濃度與擴散程度的影響，發現不同角度的基板對Be之濃度 的影響不大，而900℃應是較佳之回火溫度。