Abstract
由於X光繞射技術的發展與進步，在各方面的實驗上如：大分子結構、晶體表面與介面結構分析、電荷密度波研究…等應用都已有良好而成熟的理論基礎與技術發展，此次實驗即是利用X光的三光複繞射量測技術來分析CdTe/InSb薄膜在吸收邊前後的共振相位變化。
- Title
- x-ray三光共振繞射於單晶薄膜CdTe/InSb之三光共振相位計算
- Translated title
- x-ray三光共振繞射於單晶薄膜CdTe/InSb之三光共振相位計算
- Creators
- 周俊穎 (Author)
- Contributors
- 張石麟 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2004
- Language
- English