Abstract
本論文係一個由兩異質界面反向相接及其上下方各有一有發寬度約2?10A的摻雜層所構成之量子位井調整變場效應電晶體、其內電子濃度隨著元件結構及外加電壓等參數變化之情形。其二維電子密度最高可達4E12cm–2 且低移動率電子平等傳導之問題亦已改善。為了了解元件中各部份電子濃度及電位分佈的情形本研究以兩種方法來計算界面電子濃度及閘極電壓的關係其一為正確模形、係以聯立薛丁格方程式及帕松方程式使用計算機解其“自我一致”的解之模型其中我們已考慮了上下兩個摻雜所造成之“V ”形位井與方形量子井的耦合現象。但為簡單起見，則忽略了屏蔽效應及電子交換能等等。而事實它們的效應也并不是主要的。其二為解析模型它分為單能帶及多能帶模型係以近似的位能平衡及簡單的高斯定律得到一個輿平行電板電容類似的電荷對閘極電壓關係式。其中二板間的距離為閘極至異質接面間之距離加上一修正項。此修正項與砷化鎵層的、攙雜層與異質界面之距離及位井的局限係數等等均有關。由於不同能帶中之電子在電壓或元件結構改變下之行為不同。當砷化鎵中填有電子之能帶數目改變時，解析模形須依據正確模型所得之特性加以修正。另外由改變井寬的模擬中，得知在80埃時，會同時具有較大的二維電子氣體及最簡單的電荷控制模型。#50008858.abs#50008858.abs