Abstract
一種可以用來計算δ攙雜異質電晶體的模型已被我們發展出來, 它可以用來計算其電壓與電流之間的關系, 而且可以計算其電壓與電容的關系。在這篇論文之中, 解析的通道電場對載子漂移速度的公式被引用, 為了能夠正確的描述δ攙雜異質電晶體的物理特性, 其載子通道被分成兩個區域( 線性區域與飽合區域), 在線性區域中, 漸次通道的理論被用來推導, 在飽合區域部份, 二維的Poisson方程式的近似解被引用來描述飽合區中的電位分布情況, 是由解Grebene-Ghandhi 模型的邊界條件而得的。電子濃度與閘極電壓間的關系, 本來是由Schrodinger 方程式與Poisson 方程式的數值自我收斂解求得的, 但是我們以兩種方法來簡易的代替算出來的電子濃度與閘電壓間的關系式, 一種是用分段線性模型, 另外一種是用修正的Traffimienkoff形式的模型, 分段線性模型是利用分離的資料點做線性內插的方法來近似描述電荷控制情形的方程式, 而第二種方法是用平滑曲線來正確有效的近似電子濃度與閘電壓間的關系, 其中第二個方法必須要用四個明顯的參數去匹配。我們的模型不但可以用在低的電壓操作, 也可以用在高的電壓操作, 其計算結果預測元件最大的電導, 并且元件有的限輸出阻抗亦被估計出來, 元件的電容也包含在計算當中, 可以把它表示成閘極對源極之間電壓的關系, 也可以把它表示成汲極對源極之間電壓的關系, 也可以把它表示成汲極對源極之間電壓的關系。適當調整模型中的一些參數, 可以使模型與實驗中的電流和電壓特性相符合, 進而可用模型預測其它元件重要的數值。