Abstract
論文提要內容:第一部份在一可達 5.2K 之低溫系統中, 結合雷射誘發螢光法和間質隔離法研究硝酸光解, CH3O及SO2 的電子躍遷光譜.以193nm 雷射光光解氖間質中的硝酸使產生OH自由基, 再進一步取其激發光譜可觀測到OH A 2Σ+←X 2Ⅱi 的S1(1) 譜線因晶格對稱性分裂而成的三條譜線, 證實k=3 時其能階如 Flygare所預測的分裂為三個微細能階. 但是硝酸在氬間質中光解成OH自由基的放光僅呈現一寬廣的譜線, 顯示Ar與OH自由基有很強的作用力存在. 硝酸受193nm 雷射光光解時除了OH放光外, 還NO的γ- 光帶, β-光帶, M-光帶及O2的c3Δ1→x3Σ-g 放光.在氖間質中的 CH3O 的譜線為很窄的零聲子線, 使譜線波長的量測更為準確, 其 A-X躍遷的V00為31455 cm-1, 基態的振動頻率分別為v"2=1367, v"3=1033, v"4=2632, v"5=1466 及v"6=666 cm-1.在氖間質中 SO2的譜線亦呈現很強的零聲子線, 尤其是沒有熱光帶 (hotband)譜線,使得激發光譜較氣態下更簡化, 可以準確地得到 a→x 的v00 為25746 cm-1, 其基態的振動頻率為v"1=1151, v"2=519 及v"3=1361 cm-1 和a 電子態的v'1=911 cm-1,v'2=364 cm-1.第二部份利用 OMA的多頻道及快速擷取放光光譜的功能, 可以觀測到O2分子被5320 A雷射光誘發崩潰而形成的2370?8500 A間的放光光譜. 由其時間解析的光譜顯示在電漿形成時, OIV 的放光最強但隨著時間的增加而衰變到OⅢ, OⅡ及OⅠ. 在電漿形成後100 ns, 由OⅡ 的3727.3 A譜線寬度測得當時的電子密度為2.8X10 18 cm-1.